미래 반도체 개발 위해 기술 인재 재편
삼성전자는 HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 반도체 주도권 확보를 통해 세계 1위 반도체 기업의 위상을 되찾는다는 계획이다.
8일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 29일 부사장, 상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master)에 대한 ‘2025년 정기 임원 인사’를 단행했다.
올해 승진 인사는 총 137명으로, 전년 143명보다 6명 축소됐다. 최근 7년 동안 승진자 수 자체는 가장 적다.
하지만 성과주의 원칙에 따라 세대교체는 빨라지고 있다는 평가다.
이번 인사에서 상무급 승진자는 92명으로, 전년 77명보다 15명이 더 늘었다. 경영 불확실성이 심각한 상황에서도 차별화된 제품·기술 경쟁력 확보를 위해서다.
무엇보다 신기술 인재들이 다수 승진한 것이 눈에 띈다. 반도체 사업의 위기 속에서도 세계 1등 기술력을 입증해온 젊은 인재들이 대거 발탁됐다.
우선 반도체 사업을 맡는 DS부문에서 차세대 반도체 물질·공정 전문가인 김용성 SAIT Device Research Center장이 부사장으로 승진했다.
세계 최고용량 10나노 5세대급 D램(D1b 32Gb DDR5) 제품 개발을 이끈 채교석 DS부문 메모리사업부 DRAM PA3그룹도 상무로 승진했다.
또 3차원 구조 제품 경쟁력을 확보하기 위해 문광진 CTO 반도체연구소 차세대공정개발3팀장을 상무로 선임했다.
이외에도 채교석 메모리사업부 DRAM PA3그룹, 박일한 메모리사업부 플래시설계1그룹, 김우일 S.LSI사업부 AI SOC-P/J 등 기술 인재들이 대거 중용됐다.
반도체 뿐아니라 인공지능(AI), 차세대 통신 등에서도 승진자가 다수 배출됐다.
올해 승진자 중에는 30대 젊은 임원도 나왔다. 최연소 승진자 하지훈 DX부문 CTO SR 통신S/W연구팀 상무는 올해 39세다.
그는 S/W 핵심기술 개발과 상용화를 주도한 차세대 통신 S/W 플랫폼 설계분야 전문가로, vRAN(가상 무선 액세스 네트워크) 차별화 기술을 리딩하며 통신 사업 경쟁력을 강화했다는 평가를 받았다.
삼성전자는 정기 임원 인사에 이어 조직개편을 통해 기존 DS부문의 제조&기술담당 조직을 메모리사업부와 파운드리사업부 전담 조직으로 나누고 각각 메모리제조센터기술장을 맡았던 신경섭 부사장, 파운드리제조기술센터장을 역임한 홍영기 부사장을 내정했다.
업계에서는 메모리와 파운드리의 공정 성격이 다른 만큼, 각 사업부에 맞는 기술 인재들로 진용을 재편하려는 전략으로 해석한다.
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